Атомно-слоевое осаждение (Atomic layer deposition, ALD) в микроэлектронике: патентный анализ

Atomic Layer Deposition (ALD) – технология получения сверхтонких нанопленок для полупроводниковых, оптических и других устройств с помощью послойного атомного осаждения. О ней мы и поговорим в нашем сегодняшнем материале.